Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-9117P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 25 Stück (geliefert in Stange)*
CHF 106.80
Auf Lager
- 185 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | CHF 4.272 |
| 50 - 120 | CHF 4.161 |
| 125 - 245 | CHF 4.05 |
| 250 + | CHF 3.949 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9117P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.21mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.21mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für harte und weiche Schaltfunktionen geeignet. Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar.
Geeignet für hartes und weiches Schalten
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC