Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 98 A 52 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 215-2457P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC032N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 215-2457P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC032N04LSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 98A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 52W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 98A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 52W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 98 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC032N04LSATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für oberflächenmontierte Leistungsschaltung und -umwandlung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für Anwendungen, die geringe Leitungsverluste und eine hohe Dauerstrombelastbarkeit in einem kompakten SuperSO-Gehäuse erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 4,4 mΩ für geringere Leitungsverluste
• 98 A kontinuierliche Ablassleistung für schwere Stromlasten
• 40 V Drain-to-Source-Nennleistung für Mittelspannungsstufen
• Maximale Verlustleistung von 52 W für den thermischen Kopfraum
• Typische Gate-Ladung 25 nC ermöglicht einen effizienten Gate-Antrieb
• Arbeitet von -55 °C bis 175 °C für erweiterte Temperaturtoleranz
• 98 A kontinuierliche Ablassleistung für schwere Stromlasten
• 40 V Drain-to-Source-Nennleistung für Mittelspannungsstufen
• Maximale Verlustleistung von 52 W für den thermischen Kopfraum
• Typische Gate-Ladung 25 nC ermöglicht einen effizienten Gate-Antrieb
• Arbeitet von -55 °C bis 175 °C für erweiterte Temperaturtoleranz
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler in Stromversorgungen
• Ideal für synchrone Gleichrichtung im Energiemanagement
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die oberflächenmontierte Teile erfordern
• Kann für die Telekommunikations- und Server-Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für batteriebetriebene Systeme, die eine Schaltung mit niedrigem Vf-Wert erfordern
• Ideal für synchrone Gleichrichtung im Energiemanagement
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die oberflächenmontierte Teile erfordern
• Kann für die Telekommunikations- und Server-Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für batteriebetriebene Systeme, die eine Schaltung mit niedrigem Vf-Wert erfordern
Welche Gate-Drive-Bedenken sind für eine effiziente Schaltung erforderlich?
Die Drive-Schaltung sollte ausreichend Spitzenstrom liefern, um das 25 nC-Gate schnell aufzuladen, während sie den Schaltbetrieb steuert, um Schaltverluste und elektromagnetische Störungen auszugleichen.
Wie sollte das Wärmemanagement auf der Leiterplatte behandelt werden?
Verwenden Sie mehrschichtige Kupferwaagen und Wärmeleitpasten unterhalb der SuperSO-Abmessungen, um die Verlustleistung von 52 W und den thermischen Widerstand zwischen Verbindung und Leiterplatte zu verteilen.
Welchen elektrischen Belastungen muss das Gerät bei transienten Ereignissen standhalten?
Das Gerät ist für 40 V Vds im Steady State ausgelegt
Überspannungsschutz wie Snubber oder Überspannungsunterdrückung sollte angewendet werden, um eine Überspannung über diesen Wert hinaus zu begrenzen.
Gibt es spezifische Layout-Praktiken zur Minimierung von Leitungsverlusten?
Breite, kurze Kupferbahnen für Drain- und Quellenanschlüsse und minimieren die Schleifeninduktivität zwischen dem Gerät und seinem Gate-Antrieb, um den niedrigen Vorteil von 4,4 mΩ zu erhalten.