Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 63 W, 8-Pin SuperSO

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RS Best.-Nr.:
215-2458
Herst. Teile-Nr.:
BSC034N03LSGATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

SuperSO

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

5.1mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

39nC

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon OptiMOS'3 Power-MOSFET-Serie hat eine maximale 30-V-Drain-Quellspannung mit SuperSO8 5x6-Gehäuseausführung. Die extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie der niedrigste Betriebswiderstand in kleinen Gehäusen machen OptiMOS TM 25 V zur besten Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikations- und Telekommunikationsanwendungen. OptiMOS TM 30-V-Produkte sind durch verbessertes EMI-Verhalten sowie eine längere Batterie auf die Anforderungen der Energieverwaltung im Notebook zugeschnitten. Erhältlich in Halbbrücken-Konfiguration (Leistungsstufe 5x6).

Schnelle Schalt-MOSFET für SMPS

Optimierte Technik für DC/DC-Wandler

Zugelassen gemäß JEDEC1) für Ziel Anwendungen

N-Kanal; Logikpegel

Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)

Sehr geringer Widerstand R DS(ON)

Überlegener Wärmewiderstand

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