Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 10 A 32 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 215-2482
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA65R125C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.4.631 | CHF.23.16 |
| 10 - 20 | CHF.4.169 | CHF.20.85 |
| 25 - 45 | CHF.3.896 | CHF.19.46 |
| 50 - 120 | CHF.3.612 | CHF.18.06 |
| 125 + | CHF.3.381 | CHF.16.92 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2482
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA65R125C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 32W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 32W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Cool MOS TM C7 Super Junction MOSFET-Serie von Infineon ist ein revolutionärer Schritt in der Technologie und bietet das weltweit niedrigste RDS(on)/Gehäuse und dank seiner geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den Volllastbereich. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.
Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS und Solar Wechselrichteranwendungen
Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse
Niedrige Schaltverluste
Bessere Effizienz bei geringer Last
Erhöhung der Leistungsdichte
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