Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 90 A 150 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
IPD90N06S4L03ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS-T2

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

150W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

170nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS ®-T2-Leistungstransistor verfügt über eine maximale Ableitquellspannung von 60 V, N-Ch, Kfz-MOSFET, mit DPAK(TO-252)-Gehäuse.

N-Kanal - Anreicherungstyp

Kfz AEC Q101 zugelassen

MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung

175 °C Betriebstemperatur

Extrem niedriger RDSon