Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A 7.2 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 215-2526P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R360P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (100 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 94.90
Auf Lager
- 4'160 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 180 | CHF 0.949 |
| 200 - 480 | CHF 0.909 |
| 500 - 980 | CHF 0.869 |
| 1000 + | CHF 0.808 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2526P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R360P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 360mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 7.2W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 7.2W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon 700 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 700 V maximale Drain-Source-Spannung, 12,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPN70R360P7SATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schaltgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Umgebungstemperaturbereich und eignet sich für Schaltkreise, die eine robuste Spannungsführung, einen geringen Durchlassverlust und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung erfordern. Die Komponente wird in einem kompakten SOT-223-Gehäuse geliefert, das für platinenmontierte Leistungsstufen vorgesehen ist.
Merkmale und Vorteile:
• Die Bemessungs-Drain-Toleranz von 700 V ermöglicht Hochspannungsschaltvorgänge
• 360 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste während der Lastzyklen
• 12.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt einen moderaten Leistungsdurchsatz
• 16.4 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Durchlassspannung von 0,9 V reduziert den Spannungsabfall im Leitungsmodus
• Maximale Verlustleistung von 7,2 W sorgt für thermische Belastung in kompakten Layouts
• 360 mΩ Rds(on) reduzieren Leitungsverluste während der Lastzyklen
• 12.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt einen moderaten Leistungsdurchsatz
• 16.4 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Durchlassspannung von 0,9 V reduziert den Spannungsabfall im Leitungsmodus
• Maximale Verlustleistung von 7,2 W sorgt für thermische Belastung in kompakten Layouts
Anwendungsbereich
• Geeignet für Offline-Schaltnetzteile
• Ideal für Hochspannungs-Primärwandler
• Wird mit resonanten oder hart schaltenden Topologien verwendet
• Kann für Hilfsschienen in industriellen Systemen verwendet werden
• Wird für Boost- und Flyback-Stufen mit mittlerem Strom verwendet
• Ideal für Hochspannungs-Primärwandler
• Wird mit resonanten oder hart schaltenden Topologien verwendet
• Kann für Hilfsschienen in industriellen Systemen verwendet werden
• Wird für Boost- und Flyback-Stufen mit mittlerem Strom verwendet
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen für einen sicheren Betrieb eingehalten werden?
Das Gerät darf nicht über ±20 V zwischen Gate und Quelle betrieben werden, um eine Gate-Oxidbelastung zu vermeiden.
Wie verhält sich das Gerät bei extremen Temperaturen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz sowohl in Kaltstartumgebungen als auch in Umgebungen mit hohen Temperaturen, wobei bei erhöhten Temperaturen ein reduzierter Rds(on) zu erwarten ist.
Welche Befestigungsaspekte sind für das Wärmemanagement relevant?
Als oberflächenmontiertes SOT-223-Gehäuse werden eine ausreichende Kupferfläche und Wärmeleitungen auf der Leiterplatte empfohlen, um bis zur Leistungsgrenze von 7,2 W zu leiten.
Wie wirkt sich die Gate-Ladung auf die Antriebsanforderungen aus?
Die typische Gate-Ladung von 16,4 nC definiert den Antriebsstrom und die Schaltverluste und informiert so die Auswahl von Gate-Treibern und Snubbern für die gewünschte Schaltgeschwindigkeit.