Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 35 A 162 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 215-2566
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R060C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.2.898 | CHF.5.80 |
| 10 - 18 | CHF.2.604 | CHF.5.22 |
| 20 - 48 | CHF.2.436 | CHF.4.87 |
| 50 - 98 | CHF.2.289 | CHF.4.58 |
| 100 + | CHF.2.121 | CHF.4.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2566
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R060C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 162W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 162W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 600 V Cool MOS TM C7 Super Junction (SJ) MOSFET-Serie bietet eine ∼50 % Reduzierung der Abschaltverluste (E oss) im Vergleich zum Cool MOS TM CP und bietet ein hervorragendes Leistungsniveau in PFC, TTF und anderen hart schaltenden Topologien. Das IPL60R185C7 ist auch eine perfekte Wahl für Ladegeräte mit hoher Leistungsdichte. Effizienz- und TCO-Anwendungen (Gesamtbetriebskosten) wie Hyper-Rechenzentren und hocheffiziente Telekommunikationsgleichrichter (>96 %) profitieren von der höheren Effizienz, die Cool MOS TM C7 bietet. Es können Verstärkungsfaktoren von 0,3 % bis 0,7 % in PFC- und 0,1 % in LLC-Topologien erreicht werden. Im Fall eines 2,5-kW-Servernetzteils beispielsweise kann die Verwendung von 600-V-Cool-MOS-C7-SJ-MOSFETs in einem 4-poligen TO-247-Gehäuse zu einer Senkung der Energiekosten von ∼10 % bei PSU-Energieverlust führen.
Reduzierte Schaltverlustparameter wie z. B. Q G, C oss, E oss
Klassenbeste Leistung Q G*R DS(on)
Erhöhte Schaltfrequenz
Bestes R (on)*A der Welt
Robuste Gehäusediode
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