Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 48 A 110 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 215-2605
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFZ44ESTRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 215-2605
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- IRFZ44ESTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Serie | HEXFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 60 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 48 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 110 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.3 V | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 23 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 60 nC | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Serie HEXFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 48 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 110 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.3 V | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 23 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 60 nC | ||
The Infineon series fifth generation HEXFET from International rectifier utilize Advanced processing techniques to achieve extremely low on resistance for Silicon area. This benefits, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFET are well known for, providing sufficient level device for, provides designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The D2pack is a surface mount power package capable of accommodating die sizes upto HEX-4. It provide the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2pack is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.
Advanced Process Technology
Fully avalanche rated
Fast switching
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