Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 7.2 A 68 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 217-2486
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.18.20
Auf Lager
- 650 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.364 | CHF.18.23 |
| 100 - 200 | CHF.0.354 | CHF.17.73 |
| 250 - 450 | CHF.0.343 | CHF.17.27 |
| 500 - 1200 | CHF.0.333 | CHF.16.82 |
| 1250 + | CHF.0.323 | CHF.16.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2486
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1Ω | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Höhe | 29.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.9 mm | ||
Höhe 29.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.
Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRds auf * Qg und EOSS
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu betreiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse
Zugelassen für Standardanwendungen
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 7.2 A 68 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7.2 A 68 W, 3-Pin TO-252
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 5.2 A 68 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 7.2 A 37 W, 3-Pin TO-251
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 9 A, 3-Pin TO-220
- Infineon 650V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 15.1 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37.9 A, 3-Pin TO-220