Infineon CoolMOS N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 7.2 A 68 W, 3-Pin TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPA65R1K0CEXKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1Ω

Channel-Modus

N

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

68W

Durchlassspannung Vf

900mV

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15.3nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.9mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.65mm

Höhe

29.75mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction(SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. CoolMOS CE ist eine für das Preis-Leistungs-Verhältnis optimierte Plattform, die es ermöglicht, kostensensitive Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten zu erreichen, indem sie weiterhin die höchsten Effizienzstandards erfüllt. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Superjunction-MOSFET, ohne auf Benutzerfreundlichkeit zu verzichten und das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt zu bieten.

Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrige FOMRds auf * Qg und EOSS

Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit

Einfach zu verwenden/zu betreiben

Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse

Zugelassen für Standardanwendungen

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