Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 37 A 129 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 217-2504P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R080P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 44.95
Auf Lager
- Zusätzlich 510 Einheit(en) mit Versand ab 05. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 20 | CHF 4.495 |
| 25 - 45 | CHF 4.242 |
| 50 - 120 | CHF 3.929 |
| 125 + | CHF 3.626 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2504P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB60R080P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 129W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.45mm | |
| Länge | 10.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 129W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.45mm | ||
Länge 10.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 600-V-CoolMOS-P7-Superjunction-(SJ)-MOSFET von Infineon ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste R onxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (Q G) der CoolMOS-Plattform der 7. Generation sorgen für ihren hohen Wirkungsgrad.
600 V P7 ermöglicht ausgezeichnete FOM R DS(on)xE oss DS(on)XQ G
ESD-Robustheit von ≥ 2 kV (HBM Klasse 2)
Integrierter Torwiderstand R G.
Robuste Gehäusediode
Breites Portfolio in durchkontaktierten und SMD-Gehäusen
Es sind sowohl Standardteile als auch Industrieteile erhältlich