Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A 129 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 217-2510
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80N04S2H4ATMA2
- Marke:
- Infineon
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- 217-2510
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80N04S2H4ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 129W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Länge | 10.31mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 129W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.45 mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Länge 10.31mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon 40 V, N-Ch, max. 3,7 MΩ, Kfz-MOSFET, D2PAK, Optimo.
N-Kanal - Anreicherungstyp
Kfz AEC Q101 zugelassen
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
Extrem niedriger RDS(on)
100 % Lawinenprüfung
Green Product (RoHS konform)
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