Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 49 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2521
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R1K5CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 217-2521
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R1K5CEAUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 49W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 49W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.
Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)
Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)
Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)
Optimierte integrierte R g.
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