Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 2 A 42 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
217-2532P
Herst. Teile-Nr.:
IPD80R2K7C3AATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.7Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

42W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

6.22mm

Höhe

2.41mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon CoolMOS TM C3A-Technologie wurde entwickelt, um den wachsenden Anforderungen höherer Systemspannungen im Bereich von Elektrofahrzeugen wie PHEVS und BEV gerecht zu werden.

Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit

Höhere Durchschlagsspannung

Hohe Spitzenstrombelastbarkeit

Kfz AEC Q101 zugelassen

Grünes Gehäuse (RoHS-konform)

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