Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 37 A 129 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 217-2558
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R080P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF 134.35
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 2.687 | CHF 134.08 |
| 100 - 200 | CHF 2.414 | CHF 120.65 |
| 250 + | CHF 2.283 | CHF 113.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2558
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R080P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 37A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 80mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 51nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 129W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 29.95mm | |
| Breite | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.36mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 37A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 80mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 129W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 29.95mm | ||
Breite 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.36mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 37 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPP60R080P7XKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Leistungsanwendungen entwickelt wurde, die eine Durchsteckmontage und einen erweiterten Kanalbetrieb erfordern. Er ist für Schaltkreise vorgesehen, die einen erheblichen kontinuierlichen Ablassstrom und eine hohe Spannungsbelastbarkeit über einen breiten Betriebstemperaturbereich benötigen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 37 A unterstützt die Handhabung von Hochleistungslasten
• 80 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• Maximale Verlustleistung von 129 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 51 nC typische Gate-Ladung unterstützt vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Gate-Bewertung von 20 V toleriert robuste Gate-Drive-Spannungen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 37 A unterstützt die Handhabung von Hochleistungslasten
• 80 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste für verbesserte Effizienz
• Maximale Verlustleistung von 129 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• 51 nC typische Gate-Ladung unterstützt vorhersehbares Schaltverhalten
• Die Gate-Bewertung von 20 V toleriert robuste Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Einsatz mit Durchsteckplatinen in industriellen Steuerungssystemen
• Kann für Schaltmodus-Stromumwandlungsdesigns verwendet werden
• Geeignet für Anwendungen, die eine hohe Temperaturbeständigkeit erfordern
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Einsatz mit Durchsteckplatinen in industriellen Steuerungssystemen
• Kann für Schaltmodus-Stromumwandlungsdesigns verwendet werden
• Geeignet für Anwendungen, die eine hohe Temperaturbeständigkeit erfordern
In welchen thermischen Extremen kann dieses Gerät betrieben werden?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode wird verwendet?
Das Gerät wird in einem TO-220-Gehäuse für die Durchsteckmontage geliefert.
Wie ist der Kanaltyp und der Betriebsmodus des Geräts?
Er verwendet einen N-Typ-Kanal im Enhancement-Modus für herkömmliche High-Side- oder Low-Side-Schaltungen.
Was ist die Durchlassspannung des Geräts und wie wirkt sie sich auf die Schaltkreise aus?
Die Durchlassspannung beträgt 0,9 V, was sich auf den Leitungsabfall bei der Durchlassleitung in Schaltkreisen auswirkt.
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 37 A 129 W, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 700 V / 12.5 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 8 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 16 A, 3-Pin TO-220
- Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A, 3-Pin TO-220
