Infineon CoolMOS C3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 4 A 63 W, 3-Pin TO-252

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Herst. Teile-Nr.:
SPD04N80C3ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

CoolMOS C3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3Ω

Maximale Verlustleistung Pd

63W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

31nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

6.22mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

JEDEC, RoHS

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 800V CoolMOS TM C3 ist die dritte Serie von CoolMOS TM von Infineon mit Markteintritt im Jahr 2001. C3 ist das "Arbeitspferd" des Portfolios. .

Niedriger spezifischer Betriebswiderstand (RDS(on) * A)

Sehr geringe Energiespeicherung in Ausgangskapazität (Eoss) bei 400 V

Niedrige Gate-Ladung (Qg)

Bewährte CoolMOS-Qualität

Die CoolMOS™-Technologie wird seit 1998 von Infineon hergestellt.

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