Infineon 500V CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 500 V / 6.6 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-2994P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R950CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 125 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.55.50
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 125 - 225 | CHF.0.444 |
| 250 - 600 | CHF.0.414 |
| 625 - 1225 | CHF.0.384 |
| 1250 + | CHF.0.364 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-2994P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA50R950CEXKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 0.83V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16.15mm | |
| Höhe | 29.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 0.83V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16.15mm | ||
Höhe 29.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon 500V CoolMOS TM CE-Serie. Der CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Superjunction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Er bietet alle Vorteile eines schnellen Schalt-Superjunction-MOSFET Ohne Einbußen bei der Benutzerfreundlichkeit und
Bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.
Sehr hohe Kommutierungsbeständigkeit
Einfach zu verwenden/zu treiben
Bleifreie Beschichtung, halogenfreie Formmasse