Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 114 A 214 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3031P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB073N15N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 - 20 | CHF 4.596 |
| 25 - 45 | CHF 4.282 |
| 50 - 120 | CHF 3.979 |
| 125 + | CHF 3.676 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3031P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB073N15N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 114A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 114A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 150 V Drain-Source-Spannung, 114 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPB073N15N5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein leistungsstarkes Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsmanagement in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Transistor in einem oberflächenmontierten TO-263-Gehäuse und ist für Anwendungen konzipiert, die eine erhebliche Stromversorgung und Wärmemanagement über einen breiten Temperaturbereich erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 150 V Ablasswert für Hochspannungsschaltfähigkeit
• 114 A kontinuierlicher Ablassstrom für den Betrieb mit hoher Belastung
• 7.3 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 214 W Verlustleistung für anhaltende thermische Belastung
• 1,1 V Durchlassspannung für effizientes Leitverhalten
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• 114 A kontinuierlicher Ablassstrom für den Betrieb mit hoher Belastung
• 7.3 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 214 W Verlustleistung für anhaltende thermische Belastung
• 1,1 V Durchlassspannung für effizientes Leitverhalten
• 20-V-Gate-Toleranz ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC/DC-Wandler in Netzteilen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Wird mit Power-Management-Modulen in industriellen Systemen verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Wandlern verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungsschaltgeräte in Telekommunikationsanlagen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Strom erfordern
• Wird mit Power-Management-Modulen in industriellen Systemen verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Wandlern verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungsschaltgeräte in Telekommunikationsanlagen
Welchen Gate-Spannungsbereich kann ich sicher anwenden?
Das Gerät nimmt bis zu 20 V zwischen Gate und Quelle auf, ohne die spezifizierte Gate-Toleranz zu überschreiten.
Welchen thermischen Extremen kann das Gerät während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +175 °C über den angegebenen Temperaturbereich ausgelegt.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und Kühlung der Platine aus?
Das oberflächenmontierbare TO-263-Format ermöglicht einen gelöteten Wärmekontakt mit Kupferwaagen zur Wärmeverteilung und automatisierten Pick-and-Place-Montage.
Welche Kanalführungstyp und -ausrichtung wird verwendet?
Er verfügt über einen N-Typ-Kanal, der für die Standard-Enhancement-Mode-Umschaltung in Stromkreisen konfiguriert ist.