Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 50 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 218-3045
Herst. Teile-Nr.:: IPD50N06S4L12ATMA2
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 50 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 218-3045
Herst. Teile-Nr.:: IPD50N06S4L12ATMA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	50A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS-T2
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	12mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	16V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	30nC
	Maximale Verlustleistung Pd	50W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	6.73mm
	Höhe	2.41mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.22mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS-T2
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 16V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 30nC
	Maximale Verlustleistung Pd 50W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 6.73mm
	Höhe 2.41mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.22mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD50N06S4L12ATMA2

Infineon OptiMOS-T2 Serie MOSFET, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD50N06S4L12ATMA2

Dieser MOSFET ist ein 60-V-N-Kanal-Erweiterungsgerät, das für Hochstromschaltungen in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde. Es arbeitet in einem breiten Umgebungstemperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Baugruppen vorgesehen, bei denen eine effiziente Leitfähigkeit und eine kompakte Verpackung erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Einschaltwiderstand von 12 mΩ reduziert Leitungsverluste
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 50 A unterstützt schwere Lasten
• 50 W Verlustleistung bewältigt thermische Belastungen
• Gate-Ladung von 30 nC ermöglicht schnellere Schaltübergänge
• 16-V-Gate-Nennwert ermöglicht robuste Gate-Drive-Margen
• Die AEC-Q101-Qualifizierung gewährleistet die Eignung für den Einsatz im Automobilbereich

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC/DC-Wandler in der Automobilelektronik
• Ideal für die Leistungsschaltung in Zughilfsanlagen
• Wird für Hochstrommotor-Treiberstufen verwendet
• Kann für Batteriemanagement und Schutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Stromversorgungsmodule auf kompakten Leiterplatten

Was sind die Spannungsgrenzen des Geräts für Drain und Gate?

Der Drain-to-Source hält bis zu 60 V stand, während der Gate-to-Source für 16 V ausgelegt ist.

Wie verhält sich das Gerät bei extremen Umgebungstemperaturen?

Er ist spezifiziert für den Betrieb bis zu -55 °C und bis zu 175 °C in unterschiedlichen thermischen Umgebungen.

Welches Gehäuse und welche Montageform wird für die Leiterplattenmontage verwendet?

Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist.

Welcher Kanaltyp und welcher Modus bestimmen das Leitverhalten?

Es verwendet eine N-Kanal-Struktur, die im Enhancement-Modus konfiguriert ist, um eine kontrollierte Schaltung zu ermöglichen.

Welche physischen Grundflächenaspekte beeinflussen das thermische Layout?

Die Gehäuseabmessungen sind kompakt mit einer Höhe von 2,41 mm, einer Länge von 6,73 mm und einer Breite von 6,22 mm, um eine dichte Platzierung der Leiterplatte zu ermöglichen.