Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 50 W, 3-Pin IPD50N06S4L12ATMA2 TO-252

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IPD50N06S4L12ATMA2
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

OptiMOS-T2

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

50W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

6.22 mm

Höhe

2.41mm

Länge

6.73mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-MOSFET der Infineon OptiMOS TM-T2-Serie für die Automobilindustrie. Er hat den DPAK-Gehäusetyp (TO-252).

N-Kanal - Anreicherungstyp

100 % Lawinenprüfung

175 °C Betriebstemperatur

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