Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 86 A 65 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 218-3053P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90N04S405ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 75 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 62.85
- Zusätzlich 8'700 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 75 - 135 | CHF 0.838 |
| 150 - 360 | CHF 0.808 |
| 375 - 735 | CHF 0.768 |
| 750 + | CHF 0.717 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3053P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90N04S405ATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 86A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 86A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
