Infineon OptiMOS-T2 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 90 A 136 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 218-3054
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90N10S4L06ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (2500 Stück, auf einer Rolle mit 2500)*
CHF 1'995.00
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF 0.798 | CHF 1'987.18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3054
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD90N10S4L06ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 90A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 75nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 90A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 75nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-T2 Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 90 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD90N10S4L06ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen Umgebungen, einschließlich Automobilanwendungen, entwickelt wurde. Er funktioniert über einen breiten Temperaturbereich und ist für oberflächenmontierte Leiterplatten-Baugruppen vorgesehen, bei denen eine robuste thermische und elektrische Leistung erforderlich ist.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ablass-Quellenspannung von 100 V ermöglicht Hochspannungsschaltfunktionen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 90 A unterstützt hohe Stromlasten
• Niedrige Rds(on) von 6,6 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Eine typische Gate-Ladung von 75 nC ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 136 W unterstützt das Wärmemanagement unter Last
• Maximale Gate-Source-Spannung von 16 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 90 A unterstützt hohe Stromlasten
• Niedrige Rds(on) von 6,6 mΩ reduziert Leitungsverluste während des Betriebs
• Eine typische Gate-Ladung von 75 nC ermöglicht kontrollierte Schaltübergänge
• Maximale Verlustleistung von 136 W unterstützt das Wärmemanagement unter Last
• Maximale Gate-Source-Spannung von 16 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereich
• Geeignet für Leistungsstufen in elektronischen Kfz-Steuereinheiten
• Ideal für DC/DC-Wandler, die hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Einsatz mit Motorantriebsschaltkreisen, die geringe Leitungsverluste erfordern
• Kann für Batteriemanagement- und Verteilungssysteme verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für DC/DC-Wandler, die hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Einsatz mit Motorantriebsschaltkreisen, die geringe Leitungsverluste erfordern
• Kann für Batteriemanagement- und Verteilungssysteme verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen auf kompakten Leiterplatten
Welchen Temperaturbereich verträgt er im Betrieb?
Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich von -55 °C bis 175 °C.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart sind für die Leiterplattenmontage vorgesehen?
Das Gerät wird in einem TO-252-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.
Wie viele elektrische Verbindungen stellt er zu einem Stromkreis dar?
Er verfügt über drei Stifte für Gate-, Drain- und Quellenanschlüsse.
Welcher Kanaltyp und welcher Modus definieren das Leitverhalten?
Es verwendet einen N-Typ-Kanal, der im Enhancement-Modus arbeitet.
Wie groß sind die Abmessungen der physischen Grundfläche?
Das Gehäuse misst 6,73 x 6,22 x 2,41 mm, um das Board-Layout zu berücksichtigen.
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