Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 57 A 3.8 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-3096P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | CHF 2.151 |
| 100 - 240 | CHF 2.06 |
| 250 - 490 | CHF 1.97 |
| 500 + | CHF 1.838 |
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- RS Best.-Nr.:
- 218-3096P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710STRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.8W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86.7nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 9.65mm | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | EIA 418 | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.8W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86.7nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 9.65mm | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen EIA 418 | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon HEXFET-Serie. Die HEXFET Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Er ist aufgrund seines geringen internen Verbindungswiderstands für Hochstromanwendungen geeignet und kann in einer typischen SMD-Anwendung bis zu 2,0 W abführen.
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Dynamische dv/dt-Bewertung
Betriebstemperatur von 175 °C
Fast Switching
Bleifrei