STMicroelectronics SCTH40N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 33 A 250 W, 7-Pin H2PAK

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RS Best.-Nr.:
219-4222P
Herst. Teile-Nr.:
SCTH40N120G2V-7
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

33A

Drain-Source-Spannung Vds max.

1200V

Gehäusegröße

H2PAK

Serie

SCTH40N

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

105mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

61nC

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

15.25mm

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.

AEC-Q101-qualifiziert

Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 175 °C)

Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode

Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität

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