STMicroelectronics SCTW40N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1200 V / 36 A 278 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 219-4228P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTW40N120G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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| 10 - 24 | CHF.14.06 |
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- SCTW40N120G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | SCTW40N | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 3.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie SCTW40N | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 3.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.15mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET-Gerät wurde mit der Advanced und innovativen Sic MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus. Die Variation des Schaltverlustes ist nahezu unabhängig von der Sperrschichttemperatur.
Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle (TJ = 200 °C)
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Extrem niedrige Gate-Ladung und Eingangskapazität