Nexperia BUK98150 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 5.5 A 8 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 219-4328P
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK98150-55A/CUF
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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| 2000 + | CHF.0.192 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-4328P
- Herst. Teile-Nr.:
- BUK98150-55A/CUF
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 55V | |
| Serie | BUK98150 | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 161mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 8W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 0.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 55V | ||
Serie BUK98150 | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 161mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 8W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 0.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Nexperia BUK98150-55A/CUF Logikebene N-Kanal-Verbesserungsmodus (FET) in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie
Geringe Leitungsverluste aufgrund eines niedrigen Durchlasswiderstands
Q101-konform