Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 1.5 A 6 W, 3-Pin SOT-223

RS Best.-Nr.:: 219-5996
Herst. Teile-Nr.:: IPN80R4K5P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 1.5 A 6 W, 3-Pin SOT-223

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 219-5996
Herst. Teile-Nr.:: IPN80R4K5P7ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	800V
	Serie	CoolMOS P7
	Gehäusegröße	SOT-223
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	450mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	4nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	6W
	Durchlassspannung Vf	900mV
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	3.7mm
	Länge	6.7mm
	Höhe	1.8mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 800V
	Serie CoolMOS P7
	Gehäusegröße SOT-223
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 6W
	Durchlassspannung Vf 900mV
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 3.7mm
	Länge 6.7mm
	Höhe 1.8mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET, 800 V maximale Drain-Source-Spannung, 1,5 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPN80R4K5P7ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben entwickelt wurde. Er arbeitet zuverlässig in einem breiten Umgebungsbereich und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen eine robuste Spannungsblockierung und eine mäßige Dauerstrombelastbarkeit erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:

• Die Nennleistung von 800 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsanwendungen
• 450 mΩ RDS(on) begrenzt Leitungsverluste beim Schalten
• Typische Gate-Ladung mit 4 nC reduziert den Energiebedarf des Antriebs
• 1.5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Steady-State-Lasten
• Maximale Verlustleistung von 6 W bewältigt thermische Belastungen während des Betriebs
• Eine Gate-Toleranz von ±20 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Offline-Stromversorgungen, die hohe Spannungen bewältigen
• Ideal für Aufwärtswandler in industriellen Systemen
• Wird für Schaltmodus-Leistungsstufen mit moderaten Strömen verwendet
• Kann für Halbleiterprüfvorrichtungen verwendet werden, die 800 V erfordern
• Wird mit oberflächenmontierten Baugruppen auf kompakten Leiterplatten verwendet

In welchen Umgebungstemperaturen kann er betrieben werden?

Er funktioniert in einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C und eignet sich somit für extreme thermische Umgebungen.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die thermische Leistung aus?

Das oberflächenmontierbare SOT‐223-Gehäuse bietet eine geringe Grundfläche und ermöglicht gleichzeitig eine Wärmeableitung, die bei ordnungsgemäßer Montage mit einer maximalen Verlustleistung von 6 W kompatibel ist.

Welche Gate-Drive-Bedenken sind erforderlich?

Das Gerät nimmt bis zu ±20 V zwischen Gate und Quelle auf und benötigt in der Regel eine Treiberenergie, die einer Gesamt-Gate-Ladung von 4 nC entspricht, um eine schnelle Schaltung zu ermöglichen.

Welche Schalttopologie profitiert am besten von ihren Eigenschaften?

Der Hochspannungs-N-Kanal-Verbesserungsbetrieb macht ihn für Topologien geeignet, die eine 800-V-Blockierung mit mäßiger Dauerstromverarbeitung erfordern.