Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 13 A 84 W, 3-Pin IPP80R360P7XKSA1 TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPP80R360P7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

CoolMOS

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

360mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

84W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Höhe

4.57mm

Breite

15.95 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon 800 V CoolMOS P7 Superjunction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Sperrwandler-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Flyback-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK R DS(on)-Produkte. Insgesamt hilft es den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.

Einfach zu fahren und zu entwickeln

Bessere Produktionsausbeute durch Reduzierung von ESD-bedingten Ausfällen

Weniger Produktionsprobleme und geringere Rückgaben im Feld

Leicht zu wählende, richtige Teile für die Feinabstimmung von Designs

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