Infineon CoolMOS P7 SJ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 950 V / 2 A 22 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 219-6015P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 75 Stück (geliefert in Stange)*
CHF.42.45
Auf Lager
- 1'320 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 75 - 135 | CHF.0.566 |
| 150 - 360 | CHF.0.535 |
| 375 - 735 | CHF.0.515 |
| 750 + | CHF.0.505 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 219-6015P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU95R3K7P7AKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 950V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 SJ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 370mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 22W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 950V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 SJ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 370mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 22W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon wurde entwickelt, um den wachsenden Verbraucheranforderungen in der Hochspannungs-MOSFETs-Arena gerecht zu werden, und die neueste 950-V-CoolMOS TM P7-Technologie konzentriert sich auf den energiesparenden SMPS-Markt. Mit 50 V mehr Sperrspannung als sein Vorgänger 900V CoolMOS TM C3 bietet die Serie 950V CoolMOS TM P7 eine hervorragende Leistung in Bezug auf Effizienz, thermisches Verhalten und Benutzerfreundlichkeit. Wie alle anderen P7-Familienmitglieder verfügt die Serie 950V CoolMOS TM P7 über einen integrierten Zenerdiode-ESD-Schutz. Die integrierte Diode verbessert die ESD-Robustheit erheblich, reduziert so ESD-bedingte Ertragverluste und erreicht außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. CoolMOS TM P7 wurde mit klassenbesten VGS(th) von 3 V und einer engen Toleranz von nur ±0,5 V entwickelt, was das Einfahren und Design erleichtert.
Klassenbeste VGS(th) von 3 V und kleinste VGS(th)-Variation von ±0,5 V
Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)
Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit