Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 180 A, 3-Pin IPB019N08N3GATMA1 TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IPB019N08N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

OptiMOS 3

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.9mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS ist der Marktführer in hocheffizienten Lösungen für die Stromerzeugung (z. B. Solar-Mikrowechselrichter), Stromversorgung (z. B. Server und Telekommunikation) und Stromverbrauch (z. B. Elektrofahrzeug).

Optimierte Technik für DC-DC-Wandler

Ausgezeichnete Gatterladung x R DS(ON) Produkt (BFM)

Überlegener Wärmewiderstand

Beidseitige Kühlung

Geringe parasitäre Induktivität

Flache Bauweise (<0,7 mm)

N-Kanal, normale

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