Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 80 V / 120 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 220-7378
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB031N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.392 | CHF.16.95 |
| 25 - 45 | CHF.2.846 | CHF.14.24 |
| 50 - 120 | CHF.2.678 | CHF.13.40 |
| 125 - 245 | CHF.2.478 | CHF.12.37 |
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7378
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB031N08N5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 5 80V-MOSFET für industrielle Leistung IPB031N08N5 bietet eine RDS(on)-Reduzierung von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Die Geräte dieser Familie wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Servernetzteilen entwickelt. Darüber hinaus können sie auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Reduzierung der Ausgangskapazität um bis zu 44 %
Reduzierung des R DS(on) um bis zu 44 %
Höchste Systemeffizienz
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Weniger Parallelschaltung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
Niederspannungs-/Überschwingen
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