Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 60 V / 30 A 36 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 220-7404P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7404P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD30N06S4L23ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 23mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 36W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 23mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 36W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
MOSFET und Diode der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD30N06S4L23ATMA2
Diese MOSFET und Diode ist ein Leistungsschaltgerät, das für Hochstromanwendungen in anspruchsvollen elektrischen Umgebungen entwickelt wurde. Es handelt sich um einen N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor mit integrierter Diode, der für den Einsatz in oberflächenmontierten Systemen vorgesehen ist, die eine robuste Leitfähigkeit und thermische Toleranz erfordern. Die Komponente arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und ist so konstruiert, dass sie den Anforderungen der Automobilindustrie für den Einsatz in der Fahrzeugelektronik und in industriellen Steuerungen entspricht.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 60 V ermöglicht das Schalten von Stromschienen mit mittlerer Spannung
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen Hochstromlasten
• 23 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 36 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 16,1 nC sorgt für ein vorhersehbares Schaltverhalten
• 1,3 V Durchlassspannung für effiziente Diodenleitung
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützen Hochstromlasten
• 23 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 36 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Die typische Gate-Ladung von 16,1 nC sorgt für ein vorhersehbares Schaltverhalten
• 1,3 V Durchlassspannung für effiziente Diodenleitung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Kraftfahrzeug-Power-Management-Module
• Ideal für Antriebsstufen von Gleichstrommotoren in Fahrzeugen
• Verwendung mit Hochstromwandlern und Reglern
• Kann zum Schalten von Lasten in Industrieanlagen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen, die eine thermische Belastbarkeit erfordern
• Ideal für Antriebsstufen von Gleichstrommotoren in Fahrzeugen
• Verwendung mit Hochstromwandlern und Reglern
• Kann zum Schalten von Lasten in Industrieanlagen verwendet werden
• Geeignet für oberflächenmontierte Baugruppen, die eine thermische Belastbarkeit erfordern
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen während des Gebrauchs eingehalten werden?
Das Gerät darf nicht über ±16 V Gate-to-Source hinaus betrieben werden, um Gate-Spannungen zu vermeiden.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart verwendet die Komponente?
Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage mit drei Stiften vorgesehen ist.
Wie verhält sich das Gerät bei extremen Temperaturen?
Es ist spezifiziert für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C für den Einsatz in Umgebungen mit breiten Temperaturen.
Welche Art der Kanalleitung ist implementiert und wie wirkt sich dies auf die Aktivierung aus?
Er verwendet einen N-Kanal-Verbesserungsmodus, sodass eine positive Gate-Spannung im Verhältnis zur Quelle erforderlich ist, um ihn einzuschalten.