Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 100 A 137 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 220-7433P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL60R105P7AUMA1
- Marke:
- Infineon
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- IPL60R105P7AUMA1
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 105mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 45nC | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 137W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 8.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 105mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 45nC | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 137W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 8.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET und Diode, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 100 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPL60R105P7AUMA1
Dieser MOSFET und die Diode sind Hochspannungs-Leistungsschaltgeräte, die für Oberflächenmontageanwendungen in Leistungsumwandlungs- und Schaltkontexten entwickelt wurden. Er kombiniert einen N-Kanal-Enhancement-Modus-Transistor mit einer integrierten Diode, um erhöhte Drain-Source-Spannungen und erhebliche Dauerströme zu bewältigen und gleichzeitig über einen breiten Temperaturbereich zu arbeiten.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 650 V Drain-Source ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Maximale Rds(on) von 105 mΩ reduziert Leitungsverluste in Leistungsstufen
• Maximale Verlustleistung von 137 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 45 nC bei Vgs 20 V gleicht die Antriebsanforderungen aus
• VSON 5-Pin-Gehäuse unterstützt kompakte Oberflächenmontage-Integration
• 100 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt die Handhabung schwerer Lasten
• Maximale Rds(on) von 105 mΩ reduziert Leitungsverluste in Leistungsstufen
• Maximale Verlustleistung von 137 W ermöglicht eine erhöhte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 45 nC bei Vgs 20 V gleicht die Antriebsanforderungen aus
• VSON 5-Pin-Gehäuse unterstützt kompakte Oberflächenmontage-Integration
Anwendungsbereich
• Geeignet für SMPS-Primärseitiges Schalten in Hochspannungswandlern
• Ideal für Offline-Stromversorgungen, die eine Hochspannungs-MOSFET-Diode erfordern
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Hochleistungs-Wandlern verwendet
• Kann für industrielle Motorantriebs-Frontend-Stufen verwendet werden
• Geeignet für DC/DC-Wandler, die einen hohen Gleichstrom verarbeiten
• Ideal für Offline-Stromversorgungen, die eine Hochspannungs-MOSFET-Diode erfordern
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Hochleistungs-Wandlern verwendet
• Kann für industrielle Motorantriebs-Frontend-Stufen verwendet werden
• Geeignet für DC/DC-Wandler, die einen hohen Gleichstrom verarbeiten
Welcher Gate-Drive-Spannungsbereich ist für einen sicheren Betrieb zulässig?
Das Gerät nimmt Gate-Source-Spannungen von bis zu 20 V auf und arbeitet als N-Kanal-Gerät im Enhancement-Modus.
Welchen thermischen Extremen kann er während des Betriebs standhalten?
Er ist für den Dauerbetrieb von -40 °C bis 150 °C ausgelegt.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und das Layout aus?
Das 5-polige VSON-Gehäuse für die Oberflächenmontage ermöglicht eine flache Montage und ein einfaches Löten von Leiterplatten für kompakte Baugruppen.
Wie hoch ist der typische Budget, für den Schaltladungsentwickler bei Gate-Treibern berechnen müssen?
Erwarten Sie eine typische Gesamt-Gate-Ladung von ca. 45 nC bei der Nenn-Gate-Spannung, was die Berechnung von Treiberstrom und Schaltverlust informiert.