Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 16 A 7 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 220-7437P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R600P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 100 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 64.60
- 1'900 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 180 | CHF 0.646 |
| 200 - 480 | CHF 0.616 |
| 500 - 980 | CHF 0.586 |
| 1000 + | CHF 0.475 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7437P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R600P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 7W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Breite | 3.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 7W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 1.8mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Breite 3.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET und Diode, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 16 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPN60R600P7SATMA1
Merkmale und Vorteile:
• 16 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerlastbetrieb
• 600 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste beim Schalten
• Die typische Gate-Ladung von 9 nC reduziert den Energiebedarf des Antriebs
• Maximale Verlustleistung von 7 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Die Vorwärtsdiodenspannung von 0,9 V reduziert den Leitungsabfall im Freilaufbetrieb
Anwendungsbereich
• Ideal für Schaltnetzteile, die eine Oberflächenmontage erfordern
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Designs mit gemischter Topologie verwendet
• Kann für industrielle Motorantriebs-Zwischenstufen verwendet werden
• Geeignet für Gleichspannungswandler mit erhöhten Betriebstemperaturen
