Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 16 A 7 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 220-7437P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R600P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 220-7437P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN60R600P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 16A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 7W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 7W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Höhe 1.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.7 mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET Cool MOS P7 Super Junction (SJ) von Infineon wurde entwickelt, um typische Herausforderungen auf dem SMPS-Markt mit geringer Leistungsaufnahme zu bewältigen, indem er eine ausgezeichnete Leistung und Benutzerfreundlichkeit bietet, die verbesserte Formfaktoren und eine verbesserte Preiswettbewerbsfähigkeit ermöglicht. Das SOT-223-Gehäuse ist eine kostengünstige Eins-zu-Eins-Drop-In-Alternative zu DPAK, die auch bei einigen Designs eine Reduzierung des Platzbedarfs ermöglicht. Er kann auf einer typischen DPAK-Abmessung platziert werden und weist eine vergleichbare thermische Leistung auf. Diese Kombination macht Cool MOS P7 in SOT-223 perfekt für seine Zielanwendungen. Die Kühle MOS P7 mit 700 V und 800 V sind für Fly-Back-Topologien optimiert. Der MOSFET 600 V Cool MOS P7 SJ ist für harte sowie für Schalttopologien (Fly Back, PFC und LLC) geeignet.
Einfache Bedienung und schnelles Design - durch geringe Klingelneigung Und Verwendung
Über PFC- und PWM-Stufen hinweg
Vereinfachtes Wärmemanagement durch geringe Schaltungs- und Leitungsgeschwindigkeit
Verluste
Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte, die durch den Einsatz von Smit ermöglicht werden
Geringerer Platzbedarf und höhere Fertigungsqualität durch>2 kVESD
Schutz
Geeignet für eine Vielzahl von Anwendungen und Leistungsbereichen