Infineon CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 16 A 7 W, 3-Pin SOT-223

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Herst. Teile-Nr.:
IPN60R600P7SATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

CoolMOS P7

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Verlustleistung Pd

7W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

9nC

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Höhe

1.8mm

Länge

6.7mm

Breite

3.7mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Infineon CoolMOS P7 Serie MOSFET und Diode, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 16 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPN60R600P7SATMA1


Dieses MOSFET- und Diodenmodul kombiniert einen Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor mit einer integrierten Diode für den Einsatz in Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen. Er ist für die Oberflächenmontage in einem SOT-223-Gehäuse konzipiert und arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich, unterstützt anspruchsvolle thermische Umgebungen und die kontinuierliche Stromversorgung für industrielle Leistungsstufen und Wandler.

Merkmale und Vorteile:


• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 16 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt den Dauerlastbetrieb
• 600 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste beim Schalten
• Die typische Gate-Ladung von 9 nC reduziert den Energiebedarf des Antriebs
• Maximale Verlustleistung von 7 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung
• Die Vorwärtsdiodenspannung von 0,9 V reduziert den Leitungsabfall im Freilaufbetrieb

Anwendungsbereich


• Geeignet für Hochspannungs-Offline-Stromversorgungen
• Ideal für Schaltnetzteile, die eine Oberflächenmontage erfordern
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Designs mit gemischter Topologie verwendet
• Kann für industrielle Motorantriebs-Zwischenstufen verwendet werden
• Geeignet für Gleichspannungswandler mit erhöhten Betriebstemperaturen

Welcher Gate-Spannungsbereich ist für die Ansteuerung des Geräts sicher?


Das Gerät nimmt für den normalen Betrieb bis zu 20 V zwischen Gate und Quelle auf.

Welchen extremen Temperaturen kann er während des Gebrauchs standhalten?


Er ist für den Betrieb bei -40 °C bis +150 °C ausgelegt.

Wie viele Pins bietet das Gehäuse für das Leiterplatten-Layout?


Die Komponente wird mit drei elektrischen Anschlüssen geliefert, die für SOT-223-Fußabdrücke geeignet sind.

Wie ist der Kanaltyp und der Leitungsmodus des Transistors?


Es verwendet einen N-Typ-Kanal und arbeitet im Enhancement-Modus.

Welche Befestigungsart ist für die Montage auf einer Leiterplatte erforderlich?


Er ist für die Oberflächenmontage in einem SOT-223-Gehäuse vorgesehen.

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