Infineon CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 800 V / 7 A 51 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 220-7450P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPU80R750P7AKMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
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- 220-7450P
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- IPU80R750P7AKMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 750mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 51W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 17nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 750mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 51W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 17nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 6.22mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 800 V Cool MOS P7 Super Junction MOSFET-Serie ist perfekt für SMPS-Anwendungen mit geringer Leistungsaufnahme geeignet, da sie die Marktanforderungen in Bezug auf Leistung, Benutzerfreundlichkeit und Preis-Leistungs-Verhältnis vollständig erfüllt. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Fly-Back-Anwendungen wie Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Diese neue Produktfamilie bietet eine bis zu 0,6 % Effizienzverstärkung und eine um 2 °C bis 8 °C niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zu ihrem Vorgänger sowie zu Wettbewerberteilen, die in typischen Fly-Back-Anwendungen getestet wurden. Es ermöglicht auch Designs mit höherer Leistungsdichte durch geringere Schaltverluste und bessere DPAK R DS(on)-Produkte. Insgesamt hilft es den Kunden, BOM-Kosten zu sparen und den Montageaufwand zu reduzieren.
Best-in-Class FOM R DS(on) * E oss; Reduzierter Qg, C ist und C oss
Best-in-Class DPAK R DS(on) von 280 mΩ
Best-in-Class V (GS) der Variation von 3 V und kleinste V (GS) Von ±0,5 V
Integrierter Zenerdiode ESD-Schutz bis Klasse 2 (HBM)
Erstklassige Qualität und Zuverlässigkeit
Vollständig optimiertes Portfolio
0,1 % bis 0,6 % Effizienzverstärkung und 2 °C bis 8 °C niedriger MOSFET-Temperatur im Vergleich zu Cool MOS TM C3
Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte, BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten
Einfach zu fahren und zu entwickeln
Bessere Produktionsausbeute durch Reduzierung von ESD-bedingten Ausfällen
Weniger Produktionsprobleme und geringere Rückgaben im Feld
Leicht zu wählende, richtige Teile für die Feinabstimmung von Designs