onsemi NTMFS006N Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 93 A 104 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6722
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS006N12MCT1G
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.88 | CHF.18.83 |
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| 250 + | CHF.1.407 | CHF.14.07 |
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- RS Best.-Nr.:
- 221-6722
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS006N12MCT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 93A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Serie | NTMFS006N | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.3mm | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 93A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Serie NTMFS006N | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.3mm | ||
Höhe 6.3mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MV-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit Shielded Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
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