onsemi NTMFS006N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 120 V / 93 A 104 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6722P
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS006N12MCT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
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- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 93A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NTMFS006N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 42nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Breite | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 93A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NTMFS006N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 42nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.3mm | ||
Breite 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor N-Kanal-MV-MOSFET wird mit Advanced Power Trench Process mit Shielded Gate Technologie hergestellt. Dieses Verfahren wurde optimiert zur Minimierung des Durchlasswiderstands unter Beibehaltung der überlegenen Schaltleistung mit der branchenführenden weich schaltenden Body-Diode.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten