onsemi NTMFS0D5N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 464 A 200 W, 5-Pin DFN

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Herst. Teile-Nr.:
NTMFS0D5N03CT1G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

464A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

NTMFS0D5N

Gehäusegröße

DFN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

1.1mm

Höhe

6.3mm

Länge

5.3mm

Automobilstandard

Nein

Der on Semiconductor 30 V Leistungs-MOSFET verwendete 464 A Ableitstrom mit einem N-Kanal. Er verfügt über eine ausgezeichnete Wärmeleitung und verbessert die Systemeffizienz.

Advanced Gehäuse (5 x 6 mm)

Extrem niedriger RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz

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