DiodesZetex 2N7002 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 292 mA 0.7 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 222-2694P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002EQ-7-F
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (100 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 8.10
Auf Lager
- 1'550 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 100 - 200 | CHF 0.081 |
| 250 - 450 | CHF 0.081 |
| 500 - 950 | CHF 0.071 |
| 1000 + | CHF 0.071 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2694P
- Herst. Teile-Nr.:
- 2N7002EQ-7-F
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 292mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | 2N7002 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.7W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.4mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 292mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie 2N7002 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.7W | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.4mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Gate-Schwellenspannung
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit