DiodesZetex DMG1012UWQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 950 mA 0.29 W, 3-Pin DMG1012UWQ-7 SOT-323

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Herst. Teile-Nr.:
DMG1012UWQ-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

950mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

DMG1012UWQ

Gehäusegröße

SOT-323

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

450mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

6 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

0.29W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.35 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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