DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 200 mA 320 mW, 3-Pin X2-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2859
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP32D9UFO-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 10000 Stück)*
CHF.320.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 11. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 10000 + | CHF.0.032 | CHF.294.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2859
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP32D9UFO-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | X2-DFN | |
| Serie | DMP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 320mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 0.45 mm | |
| Länge | 0.65mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße X2-DFN | ||
Serie DMP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 320mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 0.45 mm | ||
Länge 0.65mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Flaches Gehäuseprofil
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
ESD-geschütztes Gate
Verwandte Links
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 200 mA 320 mW, 3-Pin DMP32D9UFO-7B X2-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 500 mW, 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 900 mW, 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 500 mA 360 mW, 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 500 mW, 3-Pin DMN2300UFB4-7B X2-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 900 mW, 3-Pin DMN2451UFB4-7B X2-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 500 mA 360 mW, 3-Pin DMN1260UFA-7B X2-DFN
- DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.7 A 1.49 W, 3-Pin X2-DFN
