DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 200 mA 320 mW, 3-Pin X2-DFN
- RS Best.-Nr.:
- 222-2859
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP32D9UFO-7B
- Marke:
- DiodesZetex
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- 222-2859
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP32D9UFO-7B
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMP | |
| Gehäusegröße | X2-DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 320mW | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.35nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 0.65mm | |
| Breite | 0.45 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.4mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMP | ||
Gehäusegröße X2-DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 320mW | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.35nC | ||
Durchlassspannung Vf -1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 0.65mm | ||
Breite 0.45 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.4mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Flaches Gehäuseprofil
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
ESD-geschütztes Gate
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