DiodesZetex DMT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 96 W, 3-Pin TO-251
- RS Best.-Nr.:
- 222-2883P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT69M5LH3
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|
| 50 - 75 | CHF.0.616 |
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| 500 - 975 | CHF.0.364 |
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- RS Best.-Nr.:
- 222-2883P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT69M5LH3
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 75A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-251 | |
| Serie | DMT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28.4nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Höhe | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 75A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-251 | ||
Serie DMT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28.4nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Höhe 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Thermisch effizientes Gehäuse mit kleinem Formfaktor ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte