Infineon OptiMOS-TM5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 131 A 114 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 222-4618P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC037N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme 25 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 60.85
- Zusätzlich 11'390 Einheit(en) mit Versand ab 12. Oktober 2026
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | CHF 2.434 |
| 50 - 120 | CHF 2.273 |
| 125 - 245 | CHF 2.131 |
| 250 + | CHF 1.97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4618P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC037N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 131A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS-TM5 | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 114W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Breite | 6.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.35mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 131A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS-TM5 | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 114W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Höhe 1.2mm | ||
Breite 6.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.35mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS-TM5 Serie MOSFET, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 131 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC037N08NS5ATMA1
Merkmale und Vorteile:
• 131 A kontinuierlicher Ablassstrom für den Umgang mit starken Strömen
• Niedrige Rds(on) von 3.7 mΩ zur Verringerung der Leitungsverluste
• 114 W Verlustleistung ermöglicht dauerhafte thermische Belastung
• 46 nC typische Gate-Ladung unterstützt schnelle Schaltsteuerung
• Gate-Toleranz von 20 V ermöglicht flexible Antriebsspannungen
Anwendungsbereich
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Server-Stromversorgungsschienen
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für die Stromverteilung in Telekommunikationssystemen und USV-Einheiten verwendet werden
• Geeignet für kompakte oberflächenmontierte Leistungsmodule in industriellen Systemen
