Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4644P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA70R900P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 75 - 135 | CHF.0.693 |
| 150 - 360 | CHF.0.662 |
| 375 - 735 | CHF.0.63 |
| 750 + | CHF.0.588 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4644P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA70R900P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 900mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 900mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist
Extrem niedrige Verluste durch sehr niedrigen FOM RDS(on) * Qg und RDS(on) * Eoss
Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Integrierte ESD-Schutzdiode
