Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 17 A, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 222-4649P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN80R280P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 25 - 45 | CHF 3.111 |
| 50 - 120 | CHF 2.929 |
| 125 - 245 | CHF 2.707 |
| 250 + | CHF 2.525 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4649P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPAN80R280P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 17A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 17A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design der Cool MOS TM P7-Serie setzt neue Maßstäbe in 950-V-Super-Abzweigtechnologien und kombiniert erstklassige Leistung mit der neuesten Art der Benutzerfreundlichkeit, die sich aus der über 18 Jahre lang bahnbrechenden Super-Abzweigtechnologie-Innovation von Infineon ergibt.
Vollständig optimiertes Portfolio
Beste Qualität und Zuverlässigkeit von Cool MOS
Integrierter Zenerdiode-ESD-Schutz
Best-in-Class FOM RDS(on) * Eoss; Reduzierte Qg, Ziss und Coss