Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 71 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4665
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N06S4L08ATMA2
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.867.50
Auf Lager
- 10’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.347 | CHF.861.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4665
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50N06S4L08ATMA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 71W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 49nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Länge | 6.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 71W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.22 mm | ||
Länge 6.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Green Product (RoHS-konform)
MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert
OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 71 W, 3-Pin IPD50N06S4L08ATMA2 TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 71 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 71 W, 3-Pin IPD50N06S409ATMA2 TO-252
- Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 71 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 35 A 71 W, 3-Pin IPD35N10S3L26ATMA1 TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 71 W, 3-Pin TO-262
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 71 A 99 W, 3-Pin TO-252
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 45 A 71 W, 3-Pin IPI45N06S409AKSA2 TO-262