Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 71 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 222-4665
Herst. Teile-Nr.:: IPD50N06S4L08ATMA2
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 50 A 71 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 222-4665
Herst. Teile-Nr.:: IPD50N06S4L08ATMA2
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	50A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Serie	OptiMOS
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	7.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	49nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs	16V
	Maximale Verlustleistung Pd	71W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.22mm
	Länge	6.5mm
	Höhe	2.3mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Serie OptiMOS
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 49nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Source-spannung max Vgs 16V
	Maximale Verlustleistung Pd 71W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.22mm
	Länge 6.5mm
	Höhe 2.3mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD50N06S4L08ATMA2

MOSFET der OptiMOS-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 50 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD50N06S4L08ATMA2

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontiertes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für Hochstromschaltungen unter anspruchsvollen Betriebsbedingungen ausgelegt ist. Er ist für Anwendungen vorgesehen, die eine robuste Leitfähigkeit, eine moderate Spannungsbelastbarkeit und den Betrieb über einen breiten Temperaturbereich erfordern, was für Automobil- und Industrieumgebungen typisch ist.

Merkmale und Vorteile:

• Niedriger Leitungswiderstand von 7,8 mΩ für geringere Leitungsverluste
• Hohe Dauerstrombelastbarkeit von 50 A für schwere Schaltvorgänge
• 60 V Drain-Source-Nennleistung für Mittelspannungs-Systemkompatibilität
• Maximale Verlustleistung von 71 W für eine verbesserte Wärmebehandlung
• Typische Gate-Ladung von 49 nC ermöglicht vorhersehbares Schaltverhalten
• Gate-Source-Spannungstoleranz von bis zu 16 V für flexible Antriebsstufen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilungsmodule
• Ideal für DC/DC-Wandler in Transportsystemen
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Leistungslenkung verwendet werden
• Einsatz bei Hochleistungs-Schaltvorgängen an oberflächenmontierten Baugruppen

In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?

Er unterstützt den Dauerbetrieb von -55 °C bis 175 °C.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird verwendet?

Die Komponente wird in einem TO-252-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert.

Wie viele elektrische Verbindungen bietet es?

Es bietet drei Pins für Gate-, Drain- und Quellenanschlüsse.

Wie hoch ist die Durchlassspannung unter Leitung?

Das Gerät verfügt während der Leitung über eine Durchlassspannung von 1,3 V.

Welche Qualifikationsstufe für die Automobilindustrie erfüllt er?

Er entspricht der Spezifikation AEC-Q101 für die Automobilindustrie.