Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 60 A 94 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4669P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (50 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 57.55
- 710 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | CHF 1.151 |
| 100 - 240 | CHF 1.101 |
| 250 - 490 | CHF 1.05 |
| 500 + | CHF 0.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4669P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Marke:
- Infineon
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 38nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 94W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.5mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 38nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 94W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.5mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 60 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD60N10S4L12ATMA1
Merkmale und Vorteile:
• 60 A kontinuierlicher Ablassstrom für hohe Strombelastungen
• 12 mΩ Rds(on), wodurch Leitungsverluste in Leistungspfaden reduziert werden
• 94 W Verlustleistung verbessert die thermische Belastbarkeit unter Last
• 38 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Schaltenergie
• Maximale Gate-Ansteuerung von 16 V ermöglicht flexible Gate-Spannungsauswahl
Anwendungsbereich
• Ideal für DC/DC-Wandler in Transport- und Industrieanlagen
• Wird für Motorantriebs-Halbbrückenstufen in EV-Teilsystemen verwendet
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Wird mit kompakten Oberflächenmontage-Baugruppen auf thermischen Leiterplatten verwendet
