Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 9 A 51 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4671P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R280CFD7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF.47.45
Nur noch Restbestände
- Letzte 1'980 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 90 | CHF.0.949 |
| 100 - 240 | CHF.0.909 |
| 250 - 490 | CHF.0.869 |
| 500 + | CHF.0.808 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4671P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R280CFD7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 51W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Länge | 6.73mm | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 51W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Länge 6.73mm | ||
Höhe 2.41mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Green Product (RoHS-konform)
MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert
OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen