Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 53 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 222-4673P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R280P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt sichern
100 weitere Einheiten hinzufügen, um 3% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 65.15
Auf Lager
- Zusätzlich 1'690 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 50 - 90 | CHF 1.303 | - |
| 100 - 240 | CHF 1.252 | 3% |
| 250 - 490 | CHF 1.192 | 8% |
| 500 + | CHF 1.111 | 14% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4673P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD60R280P7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 12A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Höhe | 2.41mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 12A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Höhe 2.41mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, steht für "Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Green Product (RoHS-konform)
MSL1 bis zu 260 °C Peak Reflow AEC Q101-zertifiziert
OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen