Infineon CoolMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 700 V / 9.4 A 6.3 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 222-4687P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 125 - 225 | CHF 0.566 |
| 250 - 600 | CHF 0.535 |
| 625 - 1225 | CHF 0.505 |
| 1250 + | CHF 0.465 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-4687P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6.3W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6.3W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon Design von Cool MOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die neueste Cool MOS TM P7 ist eine optimierte Plattform, die auf kostensensible Anwendungen in Verbrauchermärkten wie Ladegerät, Adapter, Beleuchtung, TV usw. zugeschnitten ist
Produktvalidierung gemäß JEDEC-Standard
Integrierte ESD-Schutzdiode mit geringen Schaltverlusten (Eoss)
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten