Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A 156 W, 3-Pin IPP60R070CFD7XKSA1 TO-220

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Herst. Teile-Nr.:
IPP60R070CFD7XKSA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

CoolMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

70mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

67nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

15.95 mm

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.36mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon MOSFETs, auch bekannt als MOSFET-Transistoren, stehen für "Feldeffekttransistoren von Metalloxid-Halbleiter-Transistoren". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Bleifreie Leitungsbeschichtung; RoHS-konform

Überlegene Wärmebeständigkeit, 100 % auf Lawinengefahr geprüft

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-23

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